大幅提升存储密度！三星电子推出zHBM技术及V10 BV-NAND原型芯片

coolriselee · 发表于 2026-8-5 09:21

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8月5日消息，三星电子在加利福尼亚州圣克拉拉举行的全球闪存峰会（FMS 2026）上正式发布新一代人工智能存储技术。其展出的BV-NAND原型芯片堆叠层数超过400层，存储密度较前代V9 NAND提升约58%，读写及输入输出性能显著增强，可适配AI系统高容量高能效存储需求，为数据中心和边缘计算场景提供更具竞争力的能效方案。现场还展示业界首款zHBM和zNAND-O概念模型，其中zHBM存储密度达到传统HBM5的10倍以上，能效提高3倍，热阻降低超过一半。三星披露其与客户签订的内存长期供应协议有望占到内存销售额的60%-70%，AI相关需求持续强劲。