发力新能源汽车和储能市场，威兆半导体推出新一代700V SiC MOSFET

sxq8848 · 发表于 2024-9-2 11:31:29

本帖最后由 sxq8848 于 2024-9-2 13:36 编辑

8月27日，在Elexcon2024深圳国际电子展上，威兆半导体正式发布了全新一代高性能碳化硅（SiC）MOSFET HCF2030MR70KH0，这款产品采用了紧凑高效的SOT-227封装，专为追求能效与高可靠性的功率转换系统而设计。

在全球能源转型与数字化快速发展的情况下，功率MOSFET、IGBT、功率二级管、功率双极晶体管（BJT）和晶闸管等分立器件作为电力系统的核心元件，承载着推动技术创新与市场拓展的重要使命。

根据WSTS预测，2024年全球半导体市场较2023年增长16%，其中分立器件规模达10%。中国功率器件市场规模预计将占据全球市场的50%以上，以MOSFET和IGBT为代表的晶体管占据了绝大部分市场份额。

国际调研机构Omdia预测，2025年车规级芯片（包括功率芯片在内）的全球市场规模将达到804亿美元。相对于燃油汽车，新能源汽车对功率器件的需求较大，包括DC-DC模块、电机控制模块、电池管理系统、OBC等均需要用到功率半导体元器件。2025年，功率半导体在汽车芯片的占比将达到40%，达到235亿美元。威兆半导体在汽车芯片领域投入大量资源并且建立了CNAS实验室，已经通过IATF16949认证。

“这是一款高性能的SiC MOSFET，HCF2030MR70KH0采用了第三代半导体SiC技术，实现极低的开关损耗和低导通电阻，RDS达到25mΩ，最大值是30 mΩ，耐压700V，ID为65A，反向恢复性能（Qrr极低）。产品的主要优势能够大幅度降低开关过程中的能量损失，显著提升系统效率，减少热损耗。” 威兆半导体高级市场经理李海生对电子发烧友记者表示，“这款产品主要应用在新能源汽车，风光储能、工业等应用，为客户的产品提升性能。”

据李海生介绍，威兆半导体在汽车领域主要聚焦电力系统、电机系统和灯光系统，威兆半导体在充电桩方案中常用的超结MOS和IGBT都有布局，包括650V20mΩ、650V30mΩ、650V70mΩ等规格的超结MOS，性能参数接近国外同类最新产品，其寄生二极管都具有超快的恢复特性；器件采用多层外延工艺，具有非常好的可靠性和寿命，适合工业汽车领域的应用。IGBT规格有650V40A、650V60A、650V75A，都是高频产品，采用最新的沟槽栅场截止工艺，具有动态损耗小、饱和压降低、抗冲击能力强等特点。

据悉，威兆半导体在2023年5月就推出了1200V40mohm SICMOS单管产品，该产品采用自对准Planar技术和新型栅氧氮化技术，具有沟道密度高、导通压降低、沟道迁移率高、界面态低、参数一致性好，可靠性高等特点，其性能达到同行先进水平。

此次，威兆半导体推出全新一代高性能碳化硅（SiC）MOSFET HCF2030MR70KH0，不仅实现了极低的开关损耗，还兼具低导通电阻与卓越的反向恢复性能（Qrr极低），能够大幅度降低开关过程中的能量损失，显著提升系统效率，减少热损耗。威兆半导体在SiC MOSFET产品线进一步丰富，将全面助力新能源汽车、风光储能和工业领域的客户产品落地。

		自动登录	找回密码
密码			立即注册

[最新新闻] 发力新能源汽车和储能市场，威兆半导体推出新一代700V SiC MOSFET