coolriselee 发表于 2026-10-12 13:34

DUV光刻机榨到极限！长鑫G6内存面积再缩30%：键合工艺首次登场


10月12日，国产DRAM厂商长鑫科技下一代内存技术平台G6的相关技术指标预测流出。信息显示，长鑫将继续采用DUV光刻工艺生产G6代内存，预计最快2028年推出，芯片单元面积较G5代缩减30%，字线、位线、有源区等多项核心间距指标进一步收紧，首次引入键合工艺，通过晶圆级混合键合实现DRAM存储阵列与外围逻辑电路解耦制造堆叠。长鑫预计年底推出融合相关解耦互联技术的新一代DDR5 RDIMM产品，目前已提前布局堆叠层数达64层以上的3D内存技术，预计2030年后推出的G7代产品可能转向4F²结构或3D内存架构。

live 发表于 2026-10-12 14:36

谢谢分享

dangweixia 发表于 2026-10-12 18:37

UV光刻机榨到极限！长鑫G6内存

天哥GG 发表于 2026-10-12 18:59

UV光刻机榨到极限！长鑫G6内存面积

大萌子 发表于 2026-10-12 20:34

张麻子 发表于 2026-10-12 20:34

太菜 发表于 2026-10-12 22:18

路过路过

hufuju 发表于 2026-10-13 08:54

谢谢分享！谢谢分享！瞧瞧看看先！

szhuang56 发表于 2026-10-13 08:59

键合工艺 , 登场

bladewalker 发表于 2026-10-13 10:50

谢谢分享 ，虚心学习
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