郦778 发表于 2026-10-10 15:41

芯岭技术 32 位 ARM® Cortex®-M0+ 内核MCU普冉MS32C001-C


   MS32C001-C 系列微控制器采用高性能的 32 位 ARM® Cortex®-M0+ 内核,宽电压工作范围的 MCU。嵌入 18 KB Flash 和 1.5 KB SRAM 存储器,最高工作频率 24 MHz。包含多种不同封装类型产品。芯片集成1 路 12 位 ADC,2 个 16 位定时器。

内核与存储器:
内核:32 位 Cortex‑M0+,两级流水线冯诺依曼架构,内置单周期乘法器,最高工作主频24MHz;集成 NVIC 嵌套向量中断控制器,支持 4 级中断优先级、18 路外部可屏蔽中断,具备中断尾链加速,降低中断响应延迟。Flash:18KB 主 Flash,另外包含 768Bytes 信息区,存放唯一 UID、选项字节、OTP 用户存储、工厂校准参数;Flash 支持按 4KB 单位写保护,防止误改写程序,擦写寿命最小 1000 次,55℃环境下数据保存可达 20 年。SRAM:1.5KB 片上 SRAM,支持 8 位 / 16 位 / 32 位字节、半字、字访问;Stop 低功耗模式下寄存器与 SRAM 数据可保持不丢失。


时钟系统:芯片内置多路时钟源,同时支持外部晶振 / 时钟输入,上电默认运行在内部 24MHz 高速 RC(HSI):HSI 内部高速 RC:24MHz,也可分频为 8MHz、4MHz;25℃@3.3V 典型精度 ±0.7%,支持软件微调,稳定时间典型 2μs。LSI 内部低速 RC:32.768kHz,供给独立看门狗 IWDG、低功耗定时器 LPTIM,Stop 模式下可继续工作,典型功耗仅 210nA。LSE 外部低速晶振:支持外接 32.768kHz 晶体,可做 RTC 类计时,提供多档驱动电流配置。HSE 外部高速时钟:旁路模式支持 1~32MHz 外部时钟输入。总线时钟:AHB、APB 最大时钟均为 24MHz,支持多级分频,灵活适配外设工作速率低功耗模式:共两类低功耗模式,适配电池供电产品:Sleep 模式:关闭 CPU 时钟,NVIC、SysTick 继续运行,外设可按需保持工作;唤醒时间典型 0.6μs。Stop 模式:关闭 HSI 高速时钟,SRAM、寄存器状态保持;GPIO、LPTIM、IWDG 均可作为唤醒源;MR 模式典型静态电流 75.3μA,LPR 调压且关闭外设最低可至 1.5μA;唤醒时间 6.4~10.6μs,取决于调压器模式。封装信息:QFN20:


QFN16:





zhangzuo 发表于 2026-10-10 17:40

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Limx122 发表于 2026-10-10 17:47

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江波波 发表于 2026-10-11 08:04

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a6682100 发表于 2026-10-11 20:07

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13412678220 发表于 2026-10-12 08:05

qq1988 发表于 2026-10-12 08:50

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竹青 发表于 2026-10-12 09:04

阿幸 发表于 2026-10-12 09:55

stefan0920 发表于 2026-10-12 13:05

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