coolriselee 发表于 2026-9-1 09:32

长鑫存储开始试产HBM3E内存 有望数周内大规模量产


长鑫存储已正式启动HBM3E内存的风险试产，目前该产品生产规模仍较为有限，尚处于风险试产早期阶段。该HBM3E符合JEDEC规范，采用1024-bit位宽，单引脚速率范围为9.2Gbps至12.4Gbps，9.6Gbps典型配置下总带宽可达1.2TB/s，8层堆叠方案可提供单堆栈24GB容量，12层方案可达36GB，可支撑AI加速器与数据中心的相关需求。长鑫存储正扩大DRAM产能，预计年底DRAM月产能有望达到35万片晶圆，其晶圆厂洁净室建设仅需12个月，远短于业内同行普遍的两年时长，市场预期其HBM3E有望在数周内进入大规模量产阶段。

x198956 发表于 2026-9-1 09:42

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xgb8001 发表于 2026-9-1 14:37

客户路过

bidezhi7777 发表于 2026-9-1 20:29

太菜 发表于 2026-9-1 20:39

路过路过

太菜 发表于 2026-9-1 20:39

谢谢分享

太菜 发表于 2026-9-1 20:40

谢谢分享

张麻子 发表于 2026-9-1 20:55

大萌子 发表于 2026-9-1 20:55

hantaopcb 发表于 2026-9-1 20:57

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