AMB陶瓷基板新突破：告别“银”影，性能依旧强悍？
在追求更高功率密度、更可靠性能的电子封装领域，AMB（活性金属钎焊）陶瓷基板一直是高端应用的核心载体。然而，传统AMB工艺中不可或缺的“银”元素，是否已成为一个甜蜜的负担？近期，一种采用铜基、无银活性焊料的新型AMB陶瓷基板进入视野，它带来了哪些改变？我们一探究竟。最近，我们接触到一家在AMB工艺上持续创新的厂商——江苏瀚思瑞半导体科技有限公司，他们推出了一款采用全新铜基、无银活性焊料制造的AMB陶瓷基板。这引发了我们的浓厚兴趣——在银基焊料占据主流多年的背景下，“无银”意味着什么？是噱头还是突破？[*]痛点浮现：银迁移的隐忧与成本之困
众所周知，传统AMB陶瓷基板多采用银-铜-钛（Ag-Cu-Ti） 体系的焊料进行钎焊。银的加入确保了良好的润湿性和连接强度。然而，银元素的存在也带来了两大潜在挑战：银迁移风险： 在高温、高湿、直流偏压等严苛环境下，银离子可能发生迁移，在绝缘层表面形成导电枝晶，轻则影响绝缘性能，重则引发短路失效，威胁整个模块的长期可靠性。这对于追求“零缺陷”和超长寿命的应用场景（如新能源汽车、轨道交通、航空航天等）来说，无疑是一个需要高度警惕的风险点。成本压力：银作为贵金属，价格波动较大，其成本在AMB基板原材料中占比显著。在降本增效的大趋势下，寻找性能相当但成本更优的替代方案，是产业链的共同诉求。
[*]无银方案：性能匹配，痛点消除？
该厂商推出的无银焊料AMB基板，核心在于用创新的铜基活性焊料体系完全替代了传统含银焊料。为了验证其可行性，厂商进行了系统性的对比测试，涵盖了关键性能指标：介电强度 & 耐压测试：测试结果显示，无银焊料AMB基板在介电强度和耐压能力上，与传统含银焊料基板表现相当，均能满足严苛的绝缘要求。绝缘电阻：在高温高湿等加速老化测试后，无银基板的绝缘电阻保持稳定，未观察到因银迁移导致的劣化现象，从根源上消除了这一隐患。冷热冲击 ：模拟极端温度循环的冷热冲击测试（-55℃至150℃，30min/循环）是检验基板抗热疲劳能力的“试金石”。无银AMB基板经过2000次的冷热循环表现出色，未出现分层、开裂等失效现象，证明了其优异的抗热震性能和长期可靠性。
剥离强度：对陶瓷层与铜层之间的剥离强度测试表明，无银焊料形成的连接强度与传统含银焊料处于同一水平，确保了机械连接的可靠性。热导率：对于功率模块散热至关重要的核心指标。由于银的热导率为 420 W/(m·K)左右 ，而铜的热导 390-400W/(m·K)左右，无银焊料AMB基板的热导率与传统含银焊料基板相当，意味着在保持或提升散热效率方面，无银方案不会有太多妥协。
[*]核心优势：不止于“无银”
综合测试数据和厂商的阐述，这款无银AMB陶瓷基板的核心价值点在于：银迁移风险消除： 从材料源头杜绝了因银离子迁移导致的潜在失效，为高可靠性、长寿命应用提供了更安心的选择。降本潜力显著： 由于剔除了贵金属银，原材料成本大幅降低，为下游客户提供了更具性价比的高性能基板方案。性能不打折： 在关键的电气性能（绝缘、耐压）、机械性能（结合强度）和热可靠性（抗热冲击）方面，经过严格测试，其表现与传统含银AMB基板相当，实现了性能的匹配。
[*]行业视角：值得关注的演进方向
我们认为，这种无银焊料AMB技术的出现，并非简单的材料替换，而是针对行业痛点（银迁移、成本）的一次有价值的探索和实践。它证明了：在保证关键性能的前提下，无银化是可行的技术路径。成本优化与可靠性提升可以并行不悖。当然，任何新技术都需要经过更广泛的市场应用和长期可靠性验证。但其展现出的潜力，无疑为功率半导体封装、新能源汽车电驱、工业变频器等高端应用领域，提供了一个值得关注和评估的新选项。
[*]一睹真容
为了让大家更直观地了解这款产品，厂商提供了高清的产品照片。据悉，江苏瀚瑞思HEXCERA创新推出的新一代高性能AMB覆铜陶瓷基板HEXCERA®Ecore系列（Economic：革新无银钎焊工艺、极限降本来突破高端基板成本瓶颈，Core：聚焦AMB结构核心钎焊层，以无银化重构铜-陶界面基础来平衡性能与成本），陶瓷基片采用氮化硅（Si₃N₄）材料，导热系数突破110W/(m·K)，为功率电子模块提供卓越的散热解决方案，为电动汽车、光伏逆变器和工业电源等高温高功率应用场景设计，具有优异的抗热震性和机械强度，可显著提升器件可靠性和功率密度。目前产品已通过严格测试验证，开放小批量送样服务，行业伙伴联系获取技术资料和样品支持。
[*]结语
陶瓷基板技术的进步，始终围绕着更高性能、更高可靠性和更优成本的目标。无银焊料AMB基板的出现，为解决“银”带来的困扰提供了新思路。它是否能在您的下一个设计中发挥作用？我们期待看到它在实际应用中的表现。
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