么是mos管

　　mos管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
　　双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出 ..

偏置电压和输入偏置电流

在精密电路设计中，偏置电压是一个关键因素。对于那些经常被忽视的参数，诸如随温度而变化的偏置电压漂移和电压噪声等，也必须测定。精确的放大器要求偏置电压的漂移小于200μV和输入电压噪声低于6nV/√Hz。随温度变化的偏置电压漂移要求小于1μV/℃ 。

低偏置电压的指标在高增益电路设计中很重要，因为偏置电压经过放大可能引起大电压输出 ..

1.匹配电容-----负载电容是指晶振要正常震荡所需要的电容。一般外接电容，是为了使晶振两端的等效电容等于或接近负载电容。要求高的场合还要考虑ic输入端的对地电容。一般晶振两端所接电容是所要求的负载电容的两倍。这样并联起来就接近负载电容了。
2.负载电容是指在电路中跨接晶体两端的总的外界有效电容。他是一个测试条件，也是一个使用条件。应用时一般在给 ..

1、 同相放大电路加在两输入端的电压大小接近相等
2、 反相放大电路的重要特征是“虚地”的概念
3、 PN结具有一种很好的数学模型：开关模型à二极管诞生了à再来一个PN结，三极管诞生了
4、 高频电路中，必须考虑PN结电容的影响（正向偏置为扩散电容，反相偏置为势垒电容）
5、 点接触型二极管适用于整流，面接触型二极管适用于高频电路
6、 硅管正向导通压降0.7V,锗管 ..

1).简单地讲就是需能(电)源的器件叫有源器件，无需能(电)源的器件就是无源器件。有源器件一般用来信号放大、变换等，无源器件用来进行信号传输，或者通过方向性进行“信号放大”。容、阻、感都是无源器件，IC、模块等都是有源器件。(通俗的说就是需要电源才能显示其特性的就是有源元件，如三极管。而不用电源就能显示其特性的就叫无源元件)
2.)
1. 无源器件的简单定 ..

电阻：RES1，RES2，RES3，RES4;封装属性为AXIAL系列
无极性电容：Cap;封装属性为Rad-0.1到Rad-0.4
电解电容：Electroi;封装属性为RB.2/.4到RB.5/1.0
电位器：Pot1，Pot2;封装属性为VR-1到VR-5
二极管：封装属性为Diode-0.4(小功率)，Diode-0.7(大功率)
三极管：常见的封装属性为TO-18(普通三极管)TO-22(大功率三极管)TO-3(大功率达林顿管)
电源稳压块有78和79系列;78系列如7805，7812，7820等
79系列有7905，7912，7 ..

1. 基本概念
二极管由管芯、管壳和两个电极构成。管芯就是一个PN结，在PN结的两端各引出一个引线，并用塑料、玻璃或金属材料作为封装外壳，就构成了晶体二极管，如下图所示。P区的引出的电极称为正极或阳极，N区的引出的电极称为负极或阴极。
1.1 二极管的伏安特性
二极管的伏安特性是指加在二极管两端电压和流过二极管的电流之间的关系，用于定性描述这两者关系的 ..

上拉电阻：

1、当TTL电路驱动COMS电路时，如果TTL电路输出的高电平低于COMS电路的最低高电平(一般为3.5V)，这时就需要在TTL的输出端接上拉电阻，以提高输出高电平的值。

2、OC门电路必须加上拉电阻，才能使用。

3、为加大输出引脚的驱动能力，有的单片机管脚上也常使用上拉电阻。

4、在COMS芯片上，为了防止静电造成损坏，不用的管脚不能悬空，一般接上拉电阻产生降低 ..

旁路电容不是理论概念，而是一个经常使用的实用方法，在50 -- 60年代，这个词也就有它特有的含义，现在已不多用。电子管或者晶体管是需要偏置的，就是决定工作点的直流供电条件。例如电子管的栅极相对于阴极往往要求加有负压，为了在一个直流电源下工作，就在阴极对地串接一个电阻，利用板流形成阴极的对地正电位，而栅极直流接地，这种偏置技术叫做“自偏”， ..

关于MOSFET很多人都不甚理解，这次小编再带大家仔细梳理一下，也许对于您的知识系统更加全面。下面是对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料。
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产 ..